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现有的半导体晶体管制程可在传统栅极结构旁形成横向延伸。可改变这些横向栅极延伸下方的介电厚度，以调节射频开关FET装置性能并提高工作击穿电压。延伸电极不受光刻尺寸解析度和对准能力的限制，并且与传统制程相容，以便于与其他装置集积。横向延伸和介电隔片可用于形成自动对正源极、漏极、通道区。可以在狭窄的延伸栅极下形成厚介电层以改善工作电压范围。本发明提供具有横向栅极延伸的创新结构，可称之为EGMOS(extendedgatemetaloxidesemiconductor，延伸栅极金属氧化物半导体)。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745336 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110581953.1 H01L 21/336 (2006.01)
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