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一种铝/银掺杂碳基纳米薄膜及其制备方法,包括基片和碳基纳米薄膜;碳基纳米薄膜设置在基片上,基片为铝合金基片。包括以下步骤:步骤1:安装靶位;步骤2:关闭腔室盖子,调试磁控设备抽真空并设置好溅射的工艺参数;步骤3:设备的真空度达到生长的要求之后开始在铝合金基片进行碳和铝的共溅射的生长;步骤4:打开真空腔室盖板,将溅射生长结束的样品取出,得到铝掺杂碳基纳米薄膜。本发明铝掺杂碳制备碳基纳米薄膜,其通过晶粒位错滑移应变释放出sp3键的内应力,从而使得部分sp3杂化键向sp2杂化键转化,提高表面涂层的导电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113718220 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111028755.9
(22)申请日 2021.09.02
(71)申请人 西安交通大学
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