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具有在栅极线缝隙中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法.pdfVIP

具有在栅极线缝隙中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法.pdf

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    提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一示例中，3D存储器件包括存储堆叠体，其具有在存储堆叠体中横向地延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层。3D存储器件还包括垂直地延伸穿过存储堆叠体到衬底内的多个沟道结构。3D存储器件还包括在存储堆叠体中垂直地和横向地延伸并且将多个存储单元划分成至少一个存储块的至少一个缝隙结构，至少一个缝隙结构各自包括多个缝隙开口和在相邻缝隙开口之间的支撑结构。支撑结构可以与相邻存储块接触并且接触衬底。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745235 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110842134.8 (51)Int.Cl.

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