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一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备.pdfVIP

一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备.pdf

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    本发明公开了一种使用等离子实现刻蚀或镀膜的半导体设备，包括腔室、分子泵、顶针机构、内衬、上射频匹配器、下射频匹配器；腔室上开口处设有腔盖，腔盖的上表面分布有线圈，腔室的底部向内方向延伸设有筒状结构，筒口覆盖有电极，电极上放置有晶圆，顶针机构安装在电极下表面，下射频匹配器安装在腔室下部；腔室的侧壁上部设有可开闭的进出槽口，侧壁下部设有出气口，出气口处为分子泵；腔室内设有内衬，内衬上分布有气孔，所述进出槽口位于内衬上方，所述出气口位于内衬下方。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745086 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 20201

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