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本发明公开了一种高品质高稳定性钙钛矿活性层的制备方法,通过将钙钛矿单晶进行二次重溶,然后通过真空旋涂,反溶剂旋涂或刮涂的方法制备钙钛矿活性层,解决了由于传统多晶钙钛矿膜组分偏差及残余应力存在,使得钙钛矿带隙略宽且键能变弱的问题,从而大幅度提高了钙钛矿太阳电池的性能和稳定性,同时,该方法制备的钙钛矿太阳电池在相同组分下的电流显著突破。本发明还提供了一种带隙可调的基于单晶重溶钙钛矿活性层的太阳电池制备方法,所涉及的器件结构从下至上分别为透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿活性层、空穴传输层和金属电极层,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745409 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110870607.5
(22)申请日 2021.07.30
(71)申请人 浙江大学
地址 31
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