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本发明提供了一种闪存器件的制造方法，包括：提供一衬底，衬底包括存储单元区及逻辑单元区，存储单元区及逻辑单元区的衬底上形成有浮栅层，在存储单元区的浮栅层上形成有闪存单元结构；形成侧墙层及第一氧化层；执行灰化工艺去除聚合物，形成第二氧化层，第一氧化层及第二氧化层的厚度和为76埃～80埃，工艺气体包括氧气、氢气及氮气；蚀刻逻辑单元区的浮栅层以暴露衬底。利用灰化工艺中额外通入的氢气和氮气形成第二氧化层并与第一氧化层的厚度和为76埃～80埃，利用该厚度的第一氧化层及第二氧化层可在蚀刻浮栅层时既留有一定的缓
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725221 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111006983.6
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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