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本发明提供了一种互连结构的形成方法，包括：提供一SOI衬底，SOI包括中间区以及包围中间区的边缘区，中间区包括依次层叠的基底、埋层及硅层，边缘区仅具有基底；于硅层中形成器件层；形成隔离介质层，并于隔离介质层中形成至少一第一开口；形成层间介质层，层间介质层覆盖隔离介质层以及第一开口；形成至少一第一通孔，第一通孔贯穿层间介质层、部分第一开口以及埋层，以暴露基底；于第一通孔中形成第一互连结构。本发明中，通过在形成器件层以及形成隔离介质层之后，仅仅蚀刻隔离介质层并在隔离介质层中形成第一开口用于形成后续的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725151 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111006984.0
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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