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本申请公开了一种肖特基势垒器件及其形成方法,该器件包括:衬底,从衬底的表面至其预定深度中的区域中形成有阱区;栅介电层,其形成于阱区上;栅极,其形成于栅介电层上,其两侧的阱区中分别形成有第一中掺杂区和第二中掺杂区,第一中掺杂区中形成有肖特基金属区,第二中掺杂区中形成有重掺杂区,重掺杂区的横向尺寸小于肖特基金属区的横向尺寸。本申请通过将肖特基势垒器件的重掺杂区的横向尺寸设置为小于其肖特基金属区的横向尺寸,从而降低了器件导通时的势垒宽度,进而能够增大其隧穿电流和开态时的沟道电流,提高了器件的可靠性;同
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113725077 B
(45)授权公告日 2022.08.05
(21)申请号 202111014146.8 H01L 21/331 (2006.01)
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