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一种制备扫描电子显微镜三氧化二锑标样的方法.pdfVIP

一种制备扫描电子显微镜三氧化二锑标样的方法.pdf

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    本发明涉及一种制备扫描电子显微镜三氧化二锑标样的方法。以金属锑为原料，导电性良好的无机物为基底；将金属锑原料与单晶硅基底以一定的位置关系放入可控制气氛的炉体加热区；在一定氧化气氛中，将加热区保持在适当温度一定时间，即可在基底表面生长出排列规则、边界清晰、尺寸由1nm~3μm连续分布的Sb2O3颗粒阵列，此产品可作为扫面电子显微镜的标样。本发明工艺简单，可获得高质量的扫描电子显微镜标样。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113720867 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111181596.6 (22)申请日 2021.10.11 (71)申请人 昆明理工大学 地址

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