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2023-07-02 发布于四川
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TFT阵列基板及其制作方法.pdf

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本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法，该TFT阵列基板包括：衬底基板；形成在所述衬底基板上的氧化物导电层，所述氧化物导电层包括遮光区和像素电极，所述遮光区由所述氧化物导电层通过不透明化处理形成；形成在所述衬底基板上且覆盖所述遮光区和所述像素电极的缓冲层；形成在所述缓冲层上的有源层，所述有源层对应位于所述遮光区上方；形成在所述缓冲层和所述有源层上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第一金属层，所述第一金属层包括栅极和扫描线，所述栅极对应位于所述有源层上方，所述栅极和所述扫描线相连。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725158 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111015589.9 (22)申请日 2021.08.31 (71)申请人昆山龙腾光电股份有限公司

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