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2023-07-02 发布于四川
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实施方式提供能够抑制短路所引起的动作不良的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具有基板、层叠体、柱状体、以及单晶体。层叠体层叠于基板上。柱状体在层叠体内沿与基板交叉的第一方向延伸。单晶体从基板向柱状体内突出，位于柱状体与基板之间。层叠体包含交替地层叠第一绝缘层与导电层而成的单元阵列区域。柱状体具有第一柱状体。第一柱状体位于单元阵列区域内，包含半导体主体和设于多个导电层与所述半导体主体之间的电荷累积膜。将导电层中的包围单晶体的外周且最靠近基板的层设为第一层，将导电层中的包围第一柱状体的外周且最

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745234 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110176962.2 (22)申请日 2021.02.07 (30)优先权数据 2020-0947

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