一种异质结的处理方法以及可调谐阵列器件的制备方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种异质结的处理方法以及可调谐阵列器件的制备方法.pdf

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本发明公开了一种异质结的处理方法，包括如下步骤：步骤一：对异质结材料表面的二维材料进行飞秒激光照射，使二维材料与半导体材料进行掺杂；步骤二：对经过飞秒激光照射的区域采用纳秒激光照射处理后，完成异质结材料中异质结的处理。使用本方法的飞秒激光和纳秒激光两步退火对异质结材料进行处理，能够提高异质结材料之间的结合力的同时，还可以消减材料中的缺陷，从而优化异质结材料的质量；另外，对材料不同区域，通过调节飞秒激光和纳秒激光的参数可以实现可调谐阵列器件的制备；利用两步激光退火的方式，相较于传统的热退火，能够更

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725074 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111022879.6 (22)申请日 2021.09.01 (71)申请人青岛翼晨镭硕科技有限公司

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