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2023-07-02 发布于四川
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半导体结构制作方法及半导体结构.pdf

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本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构。本申请实施例用以解决相关技术中盲孔内填充填充材料时容易产生空隙的问题。衬底上具有盲孔；形成覆盖盲孔的孔壁和孔底的阻挡层；在阻挡层上形成钝化层，钝化层的厚度沿孔口到孔底的方向逐渐减小；向盲孔内填充填充材料，钝化层与填充材料反应，以使得填充材料先充满钝化层和孔底之间的盲孔，直至钝化层被耗尽，以形成第一填充部；向盲孔内填充填充材料，直至填充材料充满盲孔。与相关技术中直接向盲孔内填充填充材料相比，使填充材料先充满钝化层和孔底

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725147 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111027487.9 (22)申请日 2021.09.02 (71)申请人长鑫存储技术有限公司

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