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一种半导体器件的形成方法，包括：基底，基底包括外围区与核心区，外围区上具有若干分立排布的第一沟道柱，核心区上具有若干分立排布的第二沟道柱；在基底上形成隔离层，隔离层覆盖第一沟道柱和第二沟道柱的部分侧壁；在核心区的隔离层上及第二沟道柱的侧壁和顶部上形成牺牲层，牺牲层的刻蚀速率大于隔离层的刻蚀速率；在牺牲层上、外围区的隔离层上以及第一沟道柱的侧壁和顶部上形成第一栅氧化层；形成图形化层，图形化层暴露出牺牲层上的第一栅氧化层；去除暴露出的第一栅氧化层和位于第一栅氧化层底部的牺牲层，至暴露出核心区的隔离层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745112 A
(43)申请公布日
2021.12.03
(21)申请号 20201
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