一种碳化硅振动传感器及其制造方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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一种碳化硅振动传感器及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种碳化硅振动传感器及其制造方法，该传感器采用单桥结构，设计敏感梁的宽度小于敏感梁的厚度，敏感方向平行于质量块平面，与传统敏感方向垂直于质量块平面的振动传感器相比，在不提高加工难度的基础上，提高了输出灵敏度。该传感器敏感梁截面为梯形梁结构，与同截面积矩形梁相比，振动引起的应力更加集中，传感器的输出更大。该传感器两对压敏电阻均布置于敏感梁应力最大值处，利用碳化硅的压阻效应，将振动引起的应力转换为电阻值的变化，采用惠斯通电桥全桥转化成可输出的电压信号，可以及时、准确地完成信号转换，同时保

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113739903 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202110826144.2 B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2021.07.

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