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本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件制作方法中，在形成金属接触层时，先形成第一阻挡层，然后对第一阻挡层刻蚀，去掉底部，然后再形成钛金属层和第二阻挡层，钛金属层与硅锗材料同样形成钛硅化合物、钛锗化合物和钛硅锗化合物，但是，由于第一阻挡层形成了阻挡侧壁，使得形成的化合物无法扩散至孔壁外侧，因此，阻断了钛锗化合物受到挤压，向外扩散的路径，也即，阻断了电流沿扩散路径产生漏电的路径，从而避免了晶体管的接触层制作过程中产生的漏电流问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764271 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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