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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面低于所述半导体衬底的顶面，所述半导体衬底表面形成有依次设置的浮栅介质层、浮栅层和掩膜层；在所述半导体衬底表面和所述隔离结构表面形成牺牲层，且所述牺牲层的顶面低于所述浮栅层的顶面；去除所述掩膜层；在所述牺牲层表面以及所述浮栅层的侧壁和顶部形成控制栅介质层；在所述控制栅介质层表面形成控制栅。本申请提供的半导体结构及其形成方法可以显著降低因控制栅分割刻蚀工艺导致的半导体衬底和隔离结

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764529 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 20201

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