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本发明属于光催化析氢技术领域,公开了一种过渡金属掺杂的单层二硫化锡纳米片及其制备方法,单层二硫化锡纳米片掺杂有过渡金属元素,过渡金属元素的原子含量为2‑8%;其制备方法为:按比例称取SnCl4·5H2O、硫代乙酰胺和过渡金属元素的盐酸盐溶解到去离子水中,加入盐酸并搅拌均匀;水热反应后得到Sn1‑xMxS2沉淀物,将沉淀物通过超声水浴洗涤除去杂质离子,干燥;将得到过渡金属掺杂的二硫化锡纳米片粉末分散到的甲酰胺中,回流后得到的悬浊液超声水浴,离心后的上层悬浊液真空干燥可得到插层剥离的过渡金属的掺杂单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113753942 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110979446.3
(22)申请日 2021.08.25
(71)申请人 天津大学
地址 30
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