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本文公开了在至少一侧上具有不对称栅极壳体的非平面晶体管(例如,纳米带)装置。示例性晶体管装置包括被成形为纳米带的沟道材料,以及环绕纳米带的第一面的至少一部分、侧壁、和纳米带的第二面的一部分的栅极叠层。设置在纳米带的第一面和第二面之上的栅极叠层的部分在平行于纳米带的纵轴的方向上延伸可以被称为“栅极长度”的特定距离。环绕纳米带的侧壁的栅极叠层的一部分不沿着整个栅极长度延伸,而是在小于栅极长度的一半上延伸,例如,栅极长度的大约三分之一,从而使得栅极壳体在该侧壁上不对称。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764523 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202011558669.4
(22)申请日 2020.12.25
(30)优先权数据
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