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方法包括在半导体衬底上方形成多个介电层,蚀刻多个介电层和半导体衬底以形成开口,沉积延伸到开口中的第一衬垫,在第一衬垫上方沉积第二衬垫。第二衬垫延伸到开口中。方法还包括将导电材料填充到开口中以形成通孔,以及在半导体衬底的相对侧上形成导电部件。导电部件通过通孔电互连。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764334 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110463756.X H01L 23/528 (2006.01)
(22)申请日
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