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一种半导体装置的制造方法包括：提供具有多个通道层的一虚置结构、设置于通道层的相邻通道之间且位于通道层的一横向端点的一内间隔层，以及间隔开多个通道层且包括一栅极介电层及一金属层的一栅极结构。虚置结构设置于邻近一主动区的一主动边缘。进行一金属栅极蚀刻制程，以从栅极结构内去除金属层，而栅极介电层留置于一通道层‑内间隔层界面。在进行金属栅极蚀刻制程后，进行干式蚀刻制程，以形成沿主动边缘的一断开区域。设置于通道层‑内间隔层界面的栅极介电层可防止干式蚀刻制程破坏相邻主动区内的一源极/漏极特征部件。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764343 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110733597.0
(22)申请日 2021.06.30
(30)优先权数据
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