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本发明提供一种用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜。所述方法首先将承载硅片用托盘传送至反应腔并进行第一沉积工艺，在托盘表面形成第一非晶硅层；然后在反应腔中进行第二沉积工艺，在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；最后在反应腔中进行第三沉积工艺，在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；其中第一沉积工艺的沉积压力、氢气流量、硅烷流量、射频功率、沉积时间分别为0.1～1mbar、100～3000sccm、50～500sccm、50～1000W、20～100S，第二沉积工艺的沉积压力、硅烷流量、射频功率、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113755816 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111054816.9
(22)申请日 2021.09.09
(71)申请人 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公
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