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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，基底包括衬底、位于衬底上的多个伪栅极，以及分别位于各伪栅极两侧的掺杂结构；基底包括隔离区，隔离区的延伸方向与多个伪栅极相交，且至少覆盖部分掺杂结构；在多个伪栅极之间形成层间介质层，层间介质层填充在掺杂结构之间且覆盖掺杂结构；去除隔离区内的伪栅极和层间介质层，形成横切多个伪栅极的横切隔离沟槽；其中，在去除隔离区内的层间介质层时，采用第一工艺去除掺杂结构上方的层间介质层，采用第二工艺去除剩余的层间介质层；第二工艺参数对掺杂结构的损

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764340 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 20201

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