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引线框架、引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体.pdfVIP

引线框架、引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体.pdf

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    本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括设有半蚀刻区的基材，所述基材表面设有电镀层，所述半蚀刻区侧壁表面经过棕色氧化处理；本发明提供一种引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体，在保证引线框架可靠性的前提下，只对引线框架内蚀刻区域的侧壁进行棕色氧化处理，相对于只在引线框架的正面做棕色氧化的棕色氧化成本，还能进一步节省50％‑60％。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764369 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202010835526.7 (22)申请日 2020.08.19 (71)申请人 宁波康强电子股份有限公司

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