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本发明提出一种源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法，对比现有技术，无需额外供电的编程栅，仅通过单个栅电极即可实现对其开关控制功能，简化了单元结构的复杂度，易于单元结构互连和集成度的提升。本发明所述的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管，位于编程隧穿层以下区域具有左右对称的结构特征，可互换电极a和可互换电极b可彼此互换，实现本发明的双向开关传输功能。利用对漏电极和源电极之间施加电势差对本发明提出的源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管的可编程浮栅进行编程，在断电下可依然可以长时间记录保持导电类型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764531 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111014531.2
(22)申请日 2021.08.31
(71)申请人 沈阳工业大学
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