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2023-07-03 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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本发明的实施例提供了半导体器件及形成半导体器件的方法。该方法包括：形成半导体鳍；在半导体鳍上形成栅极堆叠；以及在栅极堆叠的侧壁上形成栅极间隔件。方法还包括使半导体鳍凹进以形成凹部，执行第一外延工艺以在凹部中生长第一外延半导体层，其中第一外延半导体层，以及执行第二外延工艺以生长延伸到凹部中的嵌入式应力源。嵌入式应力源的顶部高于半导体鳍的顶表面，顶部具有与栅极间隔件的第二侧壁接触的第一侧壁，并且侧壁具有与半导体鳍的顶表面齐平的底端。嵌入式应力源的底部低于半导体鳍的顶表面。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764342 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202110609766.X H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2

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