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本发明公开了一种刻蚀液及刻蚀方法，所述刻蚀液由用于浸蚀金属氧化物的酸溶液、酸性缓冲溶液、用于氧化表层金属的酸溶液组成，本发明通过采用用于浸蚀金属氧化物的酸溶液、酸性缓冲溶液、用于氧化表层金属的酸溶液配置酸性刻蚀液，可在超导量子芯片加工过程中，用于刻蚀由铝膜构成的超导层，即便在流片过程中，光刻胶层未显影的区域发生了不希望的曝光，曝光区域的光刻胶层发生光解反应生成不与酸性溶液发生反应的物质，该物质覆盖在超导层上，不与本申请的刻蚀液反应，因而本申请刻蚀液不会侵蚀溶解该物质，从而使超导层不与刻蚀液相接处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113755840 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110938767.9
(22)申请日 2021.08.16
(71)申请人 合肥本源量子计算科技有限责任公
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