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本申请涉及半导体集成电路光刻技术领域,具体涉及一种非平滑OPC图形的修正方法。所述非平滑OPC图形的修正方法包括以下步骤:获取OPC图形;识别所述OPC图形的各个实际边缘;判断所述OPC图形的各个实际边缘是否为平滑,确定不平滑的实际边缘为非平滑边缘;计算所述非平滑边缘,偏移对应预设边缘的实际偏移面积;当所述非平滑边缘的实际偏移面积小于预设偏移面积,在所述非平滑边缘处规划平滑的目标边缘,所述目标边缘使得所述OPC图形删减的面积与增加的面积最接近;依照所述目标边缘对所述非平滑边缘进行修正。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113759670 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110958835.8
(22)申请日 2021.08.20
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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