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一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用.pdfVIP

一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用.pdf

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    本发明公开了一种大面积单层半导体二维WS2薄膜材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域，以WO3和S作为前驱体，氩气作为载气，通过调节氢气的引入时机，可以有效控制WS2的成核和生长，实现大面积，层数可控的WS2的制备。本发明提供的方法，成本低廉，可控性好，重复性强。经过本发明方法制备得到的大面积单层半导体二维WS2薄膜材料，由于具有大面积、单晶型等特点，能够在光电探测器器件中表现出优异的光响应速度，具有实用价值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113755820 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202111022978.4 (22)申请日 2021.09.01 (71)申请人 西安电子科技

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