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本发明提供了一种基于温度测量的功率半导体开关损耗测量方法及系统，所述方法包括控制所述被测功率半导体器件的开关状态，使流经所述被测功率半导体器件的电流为幅值及占空比固定的方波或锯齿波电流；当所述被测功率半导体器件达到热稳定状态后，测量所述被测功率半导体器件的电气状态、温度状态变化；根据所述被测功率半导体器件的热阻模型建立热阻矩阵方程，计算使被测功率半导体器件产生所述温度状态变化的总损耗；所述总损耗减去导通损耗，得到所述被测功率半导体器件的开关损耗。本发明的功率半导体器件开关损耗测量方法，显著降低了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113759229 B
(45)授权公告日 2022.08.02
(21)申请号 202111069558.1 审查员 孙玲玲
(22)申请日 2021.09.13
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