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本发明提供一种深紫外LED芯片，涉及LED芯片制作技术领域，包括：生长衬底和成形于生长衬底上的外延层，P型半导体层远离生长衬底的一面与N型半导体层远离生长衬底的面之间能够形成台阶，P型半导体层远离生长衬底的面为上台阶面，N型半导体层远离生长衬底的面为下台阶面，连接上台阶面和下台阶面之间的面为台阶侧面，台阶侧面包括阻挡层的侧面、发光层的侧面和P型半导体层的侧面，P型半导体层和发光层的侧面形成上侧面，阻挡层的侧面形成下侧面，上侧面与水平面之间的夹角小于下侧面与水平面之间的夹角；本发明还提供了一种如上
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113745382 B
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202111296796.6 H01L 33/38 (2010.01)
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