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本发明提供一种半导体芯片及用于检测半导体芯片中的边缘裂纹的方法，所述半导体芯片，包括裂纹停止结构、至少一个边缘密封结构及选择器电路。裂纹停止结构位于半导体芯片的外围区中。裂纹停止结构通过第一电压被偏压。边缘密封结构位于裂纹停止结构与半导体芯片的集成电路区之间。边缘密封结构在正常模式下通过第一电压被偏压，且在测试模式下通过与第一电压不同的第二电压被偏压。选择器电路接收第一电压、第二电压以及用于将半导体芯片设置于正常模式或测试模式的控制信号，且根据控制信号选择第一电压及第二电压中的一者并向边缘密封结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782459 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202110626906.4 G01N 27/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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