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本发明公开了一种新型二维同质结,包括衬底、过渡层、绝缘层、二维功能层、左电极和右电极。本发明利用粒子束辐照技术在二维功能层上制备出具有不同半导体特性的不同区域,使得二维功能层成为二维同质结。所形成二维同质结性能稳定,避免了传统同质结中栅压调控的复杂结构,还避免了二维材料堆叠同质结的复杂制备,能够实现单层原子厚度的二维同质结,极大地减小器件尺寸,提高单位面积内器件单元的密度。另外,可以通过调控粒子束辐照技术中所采用的粒子种类,对二维同质结中二维功能层局部的半导体性质及性能进行调控,获得多种不同结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113782633 A
(43)申请公布日 2021.12.10
(21)申请号 202111082049.2 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2
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