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    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一介质层以及位于第一介质层中的第一互连线；在第一互连线上形成与第一互连线的顶面相接触的牺牲柱；在牺牲柱的侧壁上形成第一扩散阻挡层；在第一介质层上形成第二介质层，第二介质层覆盖第一扩散阻挡层的侧壁；在形成第二介质层后，去除牺牲柱，形成由第一扩散阻挡层与第一互连线的顶面围成的导电通孔；对导电通孔进行填充，形成位于导电通孔中的通孔互连结构，通孔互连结构与第一互连线直接接触。通孔互连结构能够与第一互连线直接接触，有利于减少通孔互连结构与第

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782486 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 20201

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