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一种硫化镉表面锚定铜原子簇的制备方法，属于半导体光催化材料制备技术领域。首先通过水热合成法制备硫化镉纳米棒，然后对硫化镉纳米棒进行质子化处理以降低镉‑硫成键稳定性，最后采用一步煅烧法在硫化镉表面形成缺陷并在缺陷中锚定固态前驱体铜盐，最终形成无配体包裹的硫化镉‑铜原子簇催化剂。本发明通过在硫化镉纳米棒表面构建镉缺陷作为捕获位点的方法，直接将铜原子簇锚定在载体硫化镉表面，锚定于硫化镉上的铜原子簇表面无需任何配体包裹；通过构建硫化镉与铜原子簇界面的原子直接接触，促进体系的载流子传输，降低了铜原子簇的高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113769761 B
(45)授权公告日 2022.07.29
(21)申请号 202111106043.4 C01B 32/40 (2017.01)
(22)申请日 2021.09
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