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本发明公开了铕掺杂硅酸钆晶体的用途及其制备方法，铕掺杂硅酸钆晶体用作热释光晶体，其化学表达式为Gd2‑xSiO5：xEu，式中x＝0.03～0.07；该晶体有低温、高温热释峰；低温热释峰位于143℃，波长为585nm，陷阱深度为1.16eV，频率因子为2.76×109s‑；高温热释释峰位于352℃，发射波长978nm，陷阱深度为1.61eV，频率因子为3.84×1012s‑1。铕掺杂硅酸钆热释光晶体采用光学浮区法制备，包括粉体制备、料棒制备、晶体生长、退火处理四个步骤，其中晶体生长时提拉速度可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113773838 B
(45)授权公告日 2022.08.09
(21)申请号 202111052741.0 C30B 29/34 (2006.01)
(22)申请日
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