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2023-07-04 发布于四川
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一种多通道超结IGBT器件.pdf

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本发明提出了一种多通道超结IGBT器件，包括金属化集电极、P‑衬底、位于P‑衬底上方的第一N型外延层及位于所述第一N型外延层上方的第二N外延层；所述第二N外延层中至少包括第一虚拟MOS元胞单元与MOS元胞单元，所述第一虚拟MOS元胞单元包括通过反应离子刻蚀形成的沟槽、在所述沟槽内部设置的热生长的栅氧化层及位于栅氧化层内的淀积的重掺杂多晶硅。本发明公开的器件结构打破传统超结IGBT器件PN柱节距的元胞尺寸限制，可根据器件的应用要求增减顶层MOS元胞和虚拟MOS元胞以调节超结IGBT器件的栅输入电容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113782586 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202110911954.8 (22)申请日 2021.08.10 (71)申请人上海

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