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氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板.pdfVIP

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板.pdf

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    本发明公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯的制备方法，包括：将硅粉在氮气气氛中灼烧后流延成型，即得氮化硅陶瓷基板坯体生坯成品；其中，灼烧温度为1250~1400℃。相应的，本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板生坯，其由上述制备方法制备而得。本发明还公开了一种氮化硅陶瓷基板，其由上述氮化硅陶瓷基板生坯烧制而得。实施本发明，可提升氮化硅陶瓷基板生坯的生坯强度，降低流延成型后裁切时的破损率，边缘剥落几率，减少边缘变形，有效提升了氮化硅陶瓷基板生产成品率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113773092 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202110944655.4 (22)申请日 2021.08.17 (71)申请人 广东工业大学 地址

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