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一种硅片背面减薄用砂轮的制备方法及其应用.pdfVIP

一种硅片背面减薄用砂轮的制备方法及其应用.pdf

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    本发明提供了一种单晶硅片背面减薄用砂轮、制备方法及其应用，砂轮具有多孔结构，原料按重量百分比包括：金刚石磨料、陶瓷结合剂、环氧树脂。该方法制备的陶瓷结合剂砂轮具有多孔网络结构，孔隙率高，磨削时可以起到容屑作用，增加砂轮锋利性。同时，多孔结构建立的结合剂桥，在磨削时产生有效断裂，砂轮自锐性好，减少修整频次，有效降低磨削热，提高磨削硅晶片表面质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113787465 A (43)申请公布日 2021.12.14 (21)申请号 202111154256.4 (22)申请日 2021.09.29 (71)申请人 河南工业大学 地址

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