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本发明公开了一种带有键合层和过渡层的高界面强度DLC薄膜的沉积方法,其中,所述键合层为Ar‑Si:C:H键合层,所述过渡层为Ar‑C:H过渡层,属于表面工程领域。将金属基材研磨抛光洗净后,装卡至DC‑PECVD设备中,将沉积室内抽真空;利用Ar气对金属基材表面进行等离子清洗;以四甲基硅烷(TMS)/Ar和C2H2为原料沉积Ar‑Si:C:H键合层;以C2H2为碳源,调节沉积偏压以及通入沉积室的Ar、C2H2和H2比例,沉积Ar‑C:H过渡层和DLC顶层;沉积结束后,得到带有Ar‑Si:C:H键合
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113802112 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110953961.4
(22)申请日 2021.08.19
(71)申请人 郑州大学
地
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