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氮化物半导体装置及其制造方法.pdfVIP

氮化物半导体装置及其制造方法.pdf

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    一种氮化物半导体装置(1)，包括：构成电子传输层的第1氮化物半导体层(13)，在第1氮化物半导体层上形成的、构成电子供给层的第2氮化物半导体层(14)，配置在第2氮化物半导体层上的、至少一部分具有脊部(15A)的、含有受主型杂质的半导体栅极层(15)，在半导体栅极层的至少脊部上形成的栅极(4)，配置在第2氮化物半导体层上的源极(3)和漏极(5)，以及为了提取半导体栅极层内的空穴而在半导体栅极层上形成的、与源极电连接的空穴提取电极(6)。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113812006 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202080034672.8 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限

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