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2023-07-05 发布于四川
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提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括提供工件，工件包括：位于该工件的第一区域中的第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；位于该工件的第二区域中的第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件；位于第一伪栅极堆叠件、第二伪栅极堆叠件、第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方的硬掩模层。方法还包括：在工件上方沉积光刻胶(PR)层，以在第一区域上方形成第一PR层部分，并且在第二区域上方形成第二PR层部分；以及选择性地在第三伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第一开口，并且在第四伪栅极堆叠件上方形

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809014 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202110476823.1 (22)申请日 2021.04.29 (30)优先权数据 17/008,04

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