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本发明提供基于GaN‑HEMT的增强型器件的制备方法,包括:形成硅基GaN外延片,从下到上依次包括P型衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AIN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层;采用刻蚀工艺以实现凹槽栅结构;生成刻蚀界面的保护层;制作源电极、漏电极及栅电极。本发明通过数字式ICP刻蚀工艺实现精确刻蚀凹槽栅的深度,并通过刻蚀槽终端提高器件的平均电场强度并增大击穿电压。刻蚀过程中严格控制各工作参数,得到更好的刻蚀效果,并在刻蚀后生成保护层,保证样品表面的粗糙度良好,抑制器件的退化。最后,通过在制作
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809151 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202110908334.9
(22)申请日 2021.08.09
(71)申请人 苏州
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