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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控焊盘，栅极与栅极焊盘连接，漏极与漏极焊盘连接，还包括设置在温度监控焊盘和源极之间的温度传感器，温度监控焊盘用于连接温度监控电路。本发明提供的半导体器件及其制备方法，能够使得温度传感器的温度变化与半导体器件结温同步，实现准确的温度监控。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793870 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111351375.9
(22)申请日 2021.11.16
(71)申请人 深圳市时代速信科技有限公司
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