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本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法,涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层,本体层设置有凹槽结构;隔离层,位于凹槽结构内与凹槽结构外,隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层,第一隔离层与第二隔离层连续,且第一隔离层与本体层连接,第二隔离层与本体层间隔设置;电极金属层,位于第一隔离层与第二隔离层的一侧。本申请提供的空气场板结构及其制作方法具有能够提升器件的性能和可靠性的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113793866 B
(45)授权公告日 2022.03.11
(21)申请号 202111351570.1 H01L 21/28 (2006.01)
(22)申请日
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