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本发明公开了一种金属层作为源区的P型MOSFET结构及其制备方法，包括自下而上依次设置的P型基片、P‑型外延层、外延层表面注入N型杂质形成的沟道区、与外延层表面形成肖特基接触作为源区的金属层以及介质层，所述介质层、金属层、沟道区和P‑型外延层内设有填充有P型重掺杂多晶硅的沟槽，该P型重掺杂多晶硅四周包覆有一层栅氧。本发明将肖特基金属作为源区相比于现有技术中将多晶硅作为源区，因金属层铺在整个外延层表面，可改善电流均匀性，提升散热效率；还能避免多晶硅和硅表面形成的栅氧厚度不一可能导致的结构缺陷。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113793873 A
(43)申请公布日 2021.12.14
(21)申请号 202111091024.9
(22)申请日 2021.09.17
(71)申请人 江苏格瑞宝电子有限公司
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