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一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法.pdfVIP

一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法.pdf

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    本发明公开了一种基于压电效应的自供给LED发光芯片及其制备方法，以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、设置在p型氮化镓层上的p型电极、设置在n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层之上全部刻蚀掉，仅保留电极图形及梁下面部分，n型氮化镓层边缘处上方的量子阱层和p型氮化镓层刻蚀掉，n型电极设置在裸露出的n型氮化镓层上侧面上。上面较宽较短的梁用于发光，下面较细较长的梁用于发生强烈的机械振动，从而由于压电效应产生极化电荷，为上面

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116387424 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310465203.7 H01L 33/00 (2010.01)

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