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本发明公开了一种硅基异质集成的InAlAs基HEMT结构，属于半导体制造领域。该结构包括Si衬底和在Si衬底上从下至上依次生长的缓冲层、InXGa1‑XAs沟道层、InXAl1‑XAs空间隔离层、平面掺杂层、InXAl1‑XAs势垒层、InXGa1‑XAs盖帽层；缓冲层包括从下至上依次形成采用低温生长的第一GaAs缓冲层、采用中温生长的InXGa1‑XAs/GaAs超晶格缓冲层、采用高温生长的第二GaAs缓冲层、采用低温生长的InXAl1‑XAs组分渐变缓冲层。本发明可以大幅降低高速HEMT器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113809172 A
(43)申请公布日 2021.12.17
(21)申请号 202111073898.1
(22)申请日 2021.09.14
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十
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