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本发明公开了一种降低衬底漏电流的GaN基JFET场效应晶体管，其特征在于其结构依次包括：一衬底层；一p‑GaN缓冲层；一AlN层；一p‑GaN层；一n‑GaN沟道层；n‑GaN沟道层填充有两片p‑GaN，p‑GaN与两边的n‑GaN沟道层形成两个背靠背的p‑n结，控制沟道宽度，使沟道在零偏压下处于耗尽状态；源电极、漏电极，分别设置在n‑GaN沟道层n‑GaN顶表面的两端；叉指结构的栅电极，覆盖沟道内填充的p‑GaN的顶表面，并在一端联结。并公开了其制备方法。本发明实现了加入AlN层的增强型GaN
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116387365 A
(43)申请公布日 2023.07.04
(21)申请号 202310298051.6
(22)申请日 2023.03.24
(71)申请人 南京大学
地址 210046
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