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2023-07-05 发布于四川
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公开了一种用于加工半导体材料层、尤其是用于生成结晶半导体层的方法和光学系统。该方法具有以下步骤：‑提供具有第一激光脉冲(76)的第一激光束(74)和具有第二激光脉冲(86)的第二激光束(84)，‑借助光束成形装置将第一激光脉冲(76)和第二激光脉冲(86)整形为线形的、具有短轴和长轴的激光脉冲，‑借助成像装置将成形的线形激光脉冲在半导体材料层上成像为具有短轴和长轴的照射线，其中，该方法还包括以下步骤：‑设定第一激光脉冲(76)的偏振方向在照射线(36)的短轴方向上，‑设定第二激光脉冲(86)的偏

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113811981 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202080034669.6 (74)专利代理机构北京市正见永申律师事务所

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